机译:InP衬底上亚100 nm InAs HEMT的可扩展性,可用于未来逻辑应用
机译:具有628 GHz电流截止频率的InP衬底上的30 nm InAs伪形HEMT
机译:L_g = 20 nm新型不对称InP HEMT的击穿性能研究,用于未来的高速大功率应用
机译:高f / sub T / 0.05 / spl mu / m In / sub 0.52 / AlAs / In / sub 0.53 / GaAs HEMT,在InP衬底上具有5 nm InAs子通道
机译:在非晶衬底和用于3D集成电路的高性能亚100 nm薄膜晶体管上的纳米图形引导的单晶硅生长。
机译:使用简单的基板倾斜方法在InP(111)B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
机译:用于未来逻辑应用的Inp衬底上的亚100nm Inas HEmT的可扩展性